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2N5116E3

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2N5116E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N5116E3 技術參數

2N5116 功能描述:JFET P-CH 30V 0.5W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:150 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:500mW 標準包裝:2,000 2N5115UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 60mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:60mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N5115JTXV02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5115JTXL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5115JTX02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R