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2N2102B

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2N2102B 技術參數

2N2102 功能描述:TRANS NPN 65V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N2060M 功能描述:TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2060L 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:2.12W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2060A 功能描述:TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2060 功能描述:TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2221AL 2N2221AUA 2N2221AUB 2N2222 2N2222A 2N2222AE3 2N2222AL 2N2222AUA 2N2222AUATX 2N2222AUATXV 2N2222AUB 2N2222AUBTX 2N2222AUBTXV 2N2223 2N2223A 2N2270 2N2323 2N2323A