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1PMT5935BT1OSCT

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1PMT5935BT1OSCT 技術(shù)參數(shù)

1PMT5935BT1G 功能描述:DIODE ZENER 27V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1PMT5935BT1 功能描述:DIODE ZENER 27V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1PMT5935BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 27V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1PMT5935BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 1PMT5935B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 27V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1PMT5936A/TR7 1PMT5936AE3/TR13 1PMT5936AE3/TR7 1PMT5936B/TR13 1PMT5936B/TR7 1PMT5936BE3/TR13 1PMT5936BE3/TR7 1PMT5936BT1 1PMT5936BT1G 1PMT5936C/TR13 1PMT5936C/TR7 1PMT5936CE3/TR13 1PMT5936CE3/TR7 1PMT5936E3/TR13 1PMT5936E3/TR7 1PMT5937/TR13 1PMT5937/TR7 1PMT5937A/TR13

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