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1PMT5920C/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
3.0W, VZ = 6.2V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3W 6.2V 2% POWERMITE

1PMT5920C/TR13 技術(shù)參數(shù)

1PMT5920BT3G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 1PMT5920BT3 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 1PMT5920BT1G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1PMT5920BT1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:Powermite 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1PMT5920BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1PMT5921AE3/TR13 1PMT5921AE3/TR7 1PMT5921B/TR13 1PMT5921B/TR7 1PMT5921BE3/TR13 1PMT5921BE3/TR7 1PMT5921BT1 1PMT5921BT1G 1PMT5921C/TR13 1PMT5921C/TR7 1PMT5921CE3/TR13 1PMT5921CE3/TR7 1PMT5921E3/TR13 1PMT5921E3/TR7 1PMT5922/TR13 1PMT5922/TR7 1PMT5922A/TR13 1PMT5922A/TR7

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