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1N961B_Q

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 10V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N961B_Q 技術(shù)參數(shù)

1N961B TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N961B BK 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N961B 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N961A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N960BTR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N962BTR 1N963A 1N963B 1N963B BK 1N963B TR 1N963B_T50A 1N963B_T50R 1N963BTR 1N964A 1N964B 1N964B BK 1N964B TR 1N964B_T50A 1N964B_T50R 1N964BTR 1N965A 1N965B 1N965B BK

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