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1N80A

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1N80A 技術參數

1N8035-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:14.6A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:1107pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8034-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:9.4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.34V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:1107pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8033-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:4.3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.65V @ 5A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:274pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8032-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 2.5A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:274pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8031-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8151US 1N8152 1N8152US 1N8153 1N8153US 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157 1N8157US 1N8158 1N8158US 1N8159 1N8159US 1N8160