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1N8029

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功能描述
肖特基二極管與整流器 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續(xù)電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

1N8029 技術參數(shù)

1N8028-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:9.4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:884pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8026-GA 功能描述:DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:8A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 2.5A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:237pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8024-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:750mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.74V @ 750mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:66pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N769 功能描述:DIODE ZENER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 1N768 功能描述:DIODE ZENER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 1N8148US 1N8149 1N8149US 1N8150 1N8150US 1N8151 1N8151US 1N8152 1N8152US 1N8153 1N8153US 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157