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1N752AE3

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1N752AE3 技術(shù)參數(shù)

1N752A-1 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N752A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N752A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N752A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N752A TR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N753A-1TR 1N753ATR 1N753AUR-1 1N754A 1N754A BK 1N754A TR 1N754A_T50A 1N754A_T50R 1N754A-1 1N754ATR 1N754AUR-1 1N755A 1N755A BK 1N755A TR 1N755A_S00Z 1N755A_T50A 1N755A_T50R 1N755A-1

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