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1N5825BN

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1N5825BN 技術參數

1N5825 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5A 40V TOPHAT 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:380mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:頂部帽蓋型基本零件編號:1N5825 標準包裝:1 1N5824 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:370mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822US 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5830R 1N5831 1N5831R 1N5832 1N5832R 1N5833 1N5833R 1N5834 1N5834R 1N5907 1N5908 1N5908G 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G 1N5913AE3/TR13 1N5913AP/TR12