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1N5817GEG

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1N5817GEG 技術參數

1N5817G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1,000 1N5817-E3/73 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:3,000 1N5817-E3/54 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:125pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5817-E3/53 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 3.1V 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:125pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:3,000 1N5817-B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:110pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1,000 1N5818 1N5818 A0G 1N5818 B0G 1N5818 BK 1N5818 R0G 1N5818 R1G 1N5818 TR 1N5818/54 1N5818-B 1N5818-E3/1 1N5818-E3/53 1N5818-E3/54 1N5818-E3/73 1N5818G 1N5818HA0G 1N5818HB0G 1N5818HR0G 1N5818HR1G