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1N5260D

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1N5260D 技術參數

1N5260C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3A 43V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5260C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3A 43V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5260BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5260B-TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5260B-TP 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T 1N5261BTA 1N5261B-TAP 1N5261B-TP 1N5261B-TR 1N5261BUR-1 1N5261C-TAP 1N5261C-TR 1N5261TA 1N5262A 1N5262A (DO-35) 1N5262B 1N5262B (DO-35) 1N5262B A0G 1N5262B BK 1N5262B TR