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1N5252BRL2

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1N5252BRL2 技術參數

1N5252BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5252B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5252B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5252B TR 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5252B BK 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5253A 1N5253A (DO-35) 1N5253B 1N5253B (DO-35) 1N5253B A0G 1N5253B BK 1N5253B TR 1N5253B_S00Z 1N5253B_T50R 1N5253B-T 1N5253BTA 1N5253B-TAP 1N5253B-TP 1N5253BTR 1N5253B-TR 1N5253BUR-1 1N5253C-TAP 1N5253C-TR