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1N5235BTRDG-APC

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1N5235BTRDG-APC 技術(shù)參數(shù)

1N5235B-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5235BTR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5235B-TP 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5235B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 20A 6.8V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5235BTA 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5236B BK 1N5236B TR 1N5236B_S00Z 1N5236B_T26A 1N5236B_T50A 1N5236B_T50R 1N5236BDO35 1N5236BDO35E3 1N5236B-T 1N5236BTA 1N5236B-TAP 1N5236B-TP 1N5236BTR 1N5236B-TR 1N5236BUR-1 1N5236C-TAP 1N5236C-TR 1N5236TA

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