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制造商
MICRO USPD INC
功能描述

1N4988JTX 技術(shù)參數(shù)

1N4988 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:180V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 136.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4987US 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:160V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 121.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4987 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:160V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 121.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4986US 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 114V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4986 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 114V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4993 1N4994 1N4994US 1N4995US 1N4996 1N4996US 1N5059GP-E3/54 1N5059GPHE3/54 1N5059TAP 1N5059TR 1N5060 TR 1N5060GP-E3/54 1N5060GP-E3/73 1N5060GPHE3/54 1N5060GPHE3/73 1N5060TAP 1N5060TR 1N5061 TR

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