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1N4736AP/TR12

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 6.8V, ? 5% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 6.8V 5% DO41

1N4736AP/TR12 技術(shù)參數(shù)

1N4736AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4736A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4736A_NT50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4736ATR 1N4736A-TR 1N4736AUR 1N4736CE3/TR13 1N4736CP/TR12 1N4736CP/TR8 1N4736CPE3/TR12 1N4736CPE3/TR8 1N4736E3/TR13 1N4736G A0G 1N4736G R0G 1N4736P/TR12 1N4736P/TR8 1N4736PE3/TR12 1N4736PE3/TR8 1N4737 G 1N4737A 1N4737A BK

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