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1N4449TR

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1N4449TR 技術參數

1N4449 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448X-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448WX-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4448WTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N4448W-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4454UR-1 1N4458 1N4458R 1N4459 1N4459R 1N4460 1N4460 BK 1N4460 TR 1N4460US 1N4461 1N4461 BK 1N4461 TR 1N4461US 1N4462 1N4462 BK 1N4462 TR 1N4462US 1N4463