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1N4219

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1N4219 技術參數

1N4154TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:10,000 1N4154TR 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:10,000 1N4154TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:25V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4154_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4154 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 30mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:2ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4246GP-M3/73 1N4247 1N4247GP-E3/54 1N4247GP-E3/73 1N4247GPHE3/54 1N4247GPHE3/73 1N4247GP-M3/54 1N4247GP-M3/73 1N4248 1N4248GP-E3/54 1N4248GP-E3/73 1N4248GPHE3/54 1N4248GPHE3/73 1N4248GP-M3/54 1N4248GP-M3/73 1N4249 1N4249GP-E3/54 1N4249GP-E3/73