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1N4151W-GS08

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1N4151W-GS08 技術參數

1N4151W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:10,000 1N4151W-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N4151W-E3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:10,000 1N4151W-E3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N4151TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1 1N4153TR 1N4153UR-1 1N4154 1N4154_T50R 1N4154TAP 1N4154TR 1N4154TR_S00Z 1N4245 1N4245GP-M3/54 1N4245GP-M3/73 1N4246 1N4246GP-E3/54