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1N4151T

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1N4151TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

1N4151TAP
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
TEMIC
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

1N4151TAP
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
32250
Vishay
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N4151TAP
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿(mào)中心D棟601
40000
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.00944 USD,szpoweri...

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1N4151T 技術(shù)參數(shù)

1N4151_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4151 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:2ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4150W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:10,000 1N4150W-HE3-08 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4150W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:10,000 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1 1N4153TR 1N4153UR-1 1N4154 1N4154_T50R 1N4154TAP 1N4154TR

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