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1N4007-E3/61T

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1N4007-E3/61T
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴(lài)先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
899000
YXYBDT臺(tái)灣
SMA
2025+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

1N4007-E3/61T
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
VISHAY
DO-214A
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

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1

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1N4007-E3/61T 技術(shù)參數(shù)

1N4007-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4007-E3/53 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4007B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4007-B 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4007/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4007G B0G 1N4007G R0G 1N4007G R1G 1N4007GHA0G 1N4007GHB0G 1N4007GHR0G 1N4007GHR1G 1N4007GL-T 1N4007GP 1N4007GP-E3/53 1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/73 1N4007GPE-E3/53 1N4007GPE-E3/54 1N4007GPE-E3/73 1N4007GPE-E3/91 1N4007GPEHE3/53 1N4007GPEHE3/54

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