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1N3963

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
silicon diode

1N3963 技術參數

1N3957GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產標準包裝:3,000 1N3957GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件狀態:停產標準包裝:5,500 1N3957GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 1N3957GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,500 1N3957GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 1N3996A 1N3996RA 1N3997 1N3997A 1N3997RA 1N3998 1N3998A 1N3999 1N3999A 1N4001 1N4001 BK 1N4001 TR 1N4001/54 1N4001-B 1N4001B-G 1N4001-E3/53 1N4001-E3/54 1N4001-E3/73