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1N3212R/(MATRIX)

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1N3212R/(MATRIX) 技術參數

1N3212R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5 1N3212 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5 1N3211R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5 1N3211 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5 1N3210R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5 1N3262R 1N3263 1N3263R 1N3264 1N3264R 1N3265 1N3265R 1N3266 1N3266R 1N3267 1N3267R 1N3268 1N3268R 1N3269 1N3269R 1N3270 1N3270R 1N3271

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