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1N270-TR

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1N270-TR 技術(shù)參數(shù)

1N270 功能描述:DIODE SWITCHING 2DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N2138AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N2138A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N2137AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N2137A 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A 1N2808B 1N2808RB 1N2809A 1N2809B 1N2809RB 1N2810A 1N2810B 1N2810RB 1N2811A 1N2811B 1N2811RB 1N2812A 1N2812B 1N2812RB

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