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1N21DR

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制造商全稱
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功能描述
SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES

1N21DR 技術參數

1N2138AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2138A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2137AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2137A 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2135AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N2806RB 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A 1N2808B 1N2808RB 1N2809A 1N2809B 1N2809RB 1N2810A 1N2810B 1N2810RB 1N2811A 1N2811B 1N2811RB 1N2812A 1N2812B