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1FGAX360-638G

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1FGAX360-638G 技術參數

1F7TA 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R-1（軸向）供應商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1F6TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R-1（軸向）供應商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1F5TA 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R-1（軸向）供應商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1F4TA 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R-1（軸向）供應商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1F3TA 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R-1（軸向）供應商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1G0265-3 1G0617-10 1G0617-20 1G0618-10 1G0618-20 1G0618-6 1G0619-20 1G1304-30 1GA09 1GBE-PCS-O4-N1 1GC09 1GM1000 1GP4001 1GP4004 1GP5005 1GP7001 1GPK1AU09B 1GPK1AU09C