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STL160N4F7

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL160N4F7
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL160N4F7
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ST
PowerFLAT-5x6-8
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

STL160N4F7
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6006
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-8
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STL160N4F7
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
20000
ST
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
渠道可追溯現(xiàn)貨庫存LY

STL160N4F7
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿(mào)中心D棟601
400
STM
ORIGONAL
16+
-
0.79532 USD,szpoweri...

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1

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STL160N4F7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STL160N4F7 技術(shù)參數(shù)

STL160N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6375pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL15N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:375 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:418 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL15N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL15DN4F5 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2 STL18N65M5 STL18NM60N STL190N4F7AG STL19N60DM2 STL19N60M2 STL19N65M5 STL200N45LF7 STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7

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配單專線：0755-83286799

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