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STL106D

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說明
操作

STL106D
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
TO-92-3
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

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功能描述
兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

STL106D 技術參數(shù)

STL105NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:105A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:3,000 STL100N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.1 歐姆 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL100N6LF6 功能描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8900pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL100N1VH5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 12.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:500mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2085pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL11N4LLF5 STL11N60M2-EP STL11N65M2 STL11N65M5 STL11N6F7 STL120N2VH5 STL120N4F6AG STL120N4LF6AG STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2

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