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S34MS02G204BHI013

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S34MS02G204BHI013
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
SPANSION
FBGA
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

S34MS02G204BHI013
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
369
Cypress Semiconductor Cor
63-BGA
25+
-
真實(shí)的資源竭誠服務(wù)您！

S34MS02G204BHI013
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Cypress Semiconductor Cor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

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1

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S34MS02G204BHI013 技術(shù)參數(shù)

S34MS02G204BHI010 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （128M x 16）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9）標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS02G104BHI010 功能描述:閃存 2G, 1.8V, 45ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34MS02G100TFI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （256M x 8）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34MS02G100BHI000 功能描述:IC FLASH 2GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-1 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:2Gb （256M x 8）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9）標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS01G204BHI010 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （64M x 16）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9）標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS04G100TFI900 S34MS04G200BHA000 S34MS04G200BHA003 S34MS04G200BHB000 S34MS04G200BHB003 S34MS04G200BHI000 S34MS04G200BHI003 S34MS04G200BHI900 S34MS04G200BHI903 S34MS04G200BHV000 S34MS04G200BHV003 S34MS04G200TFI000 S34MS04G200TFI003 S34MS04G204BHI010 S34MS04G204BHI013 S34MS04G204TFI010 S34MS04G204TFI013 S34MS04G204WFI019

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配單專線：0755-84864007
深圳市佳芯恒業(yè)科技有限..
配單專線：0755-83353220

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