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S34ML04G200TFV000

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S34ML04G200TFV000 技術參數

S34ML04G200TFI900 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:4Gb （512M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34ML04G200TFI003 功能描述:閃存 4G, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML04G200TFI000 功能描述:閃存 4G, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML04G200TFB000 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:4Gb （512M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34ML04G200TFA003 功能描述:IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:4Gb （512M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:1 S34ML08G101TFA000 S34ML08G101TFA003 S34ML08G101TFB000 S34ML08G101TFB003 S34ML08G101TFI000 S34ML08G101TFI003 S34ML08G101TFI200 S34ML08G101TFI203 S34ML08G201BHA000 S34ML08G201BHA003 S34ML08G201BHB000 S34ML08G201BHB003 S34ML08G201BHI000 S34ML08G201BHI003 S34ML08G201BHV000 S34ML08G201BHV003 S34ML08G201TFA000 S34ML08G201TFA003