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PSMN6R5-30MLDX

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN6R5-30MLDX
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2435
NXP SEMIC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

PSMN6R5-30MLDX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1210
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PSMN6R5-30MLDX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
MOSFET N-CH 30V MLFP
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
65A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
13.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
817pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
51W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6.5 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
標準包裝
1

PSMN6R5-30MLDX 技術參數

PSMN6R5-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:64A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1093pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN6R4-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 PSMN6R3-120PS 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN6R3-120ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 PSMN6R1-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:PSMN6R1 標準包裝:1 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118