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PMZB600UNELYL

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

PMZB600UNELYL
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
NA
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMZB600UNELYL
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
200
NEXPERIA
con
25+
-
現貨常備產品原裝可到京北通宇商城查價格h...

PMZB600UNELYL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
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PMZB600UNELYL
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
200000
NEXPERIA/安世
SOT883B
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PMZB600UNELYL
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
610000
NEXPERIA
價格優勢
2451
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全新原裝渠道現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
制造商
nexperia usa inc.
系列
TrenchMOS??
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
600mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
21.3pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
620 毫歐 @ 600mA，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
3-DFN1006B（0.6x1）
封裝/外殼
3-XFDFN
標準包裝
1

PMZB600UNELYL 技術參數

PMZB550UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:590mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 590mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB420UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.98nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:65pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標準包裝:1 PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:930mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標準包裝:1 PMZB370UNE,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.16nC @ 15V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029