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PMV6-6F-L

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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMV6-6F-L
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Panduit Corp
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品，

PMV6-6F-L
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A
876332
Panduit Corp
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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功能描述
端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2
RoHS
否
制造商
AVX
產(chǎn)品
Junction Box - Wire to Wire
系列
9826
線規(guī)
26-18
接線柱/接頭大小
絕緣
顏色
Red
型式
Female
觸點(diǎn)電鍍
Tin over Nickel
觸點(diǎn)材料
Beryllium Copper, Phosphor Bronze
端接類型
Crimp

PMV6-6F-L 技術(shù)參數(shù)

PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:74 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65UNER 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:291pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 2.8A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV65UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:183pF @ 10V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV90ENER PMWD15UN,518 PMWD16UN,518 PMWD19UN,518 PMWD20XN,118 PMWD26UN,518 PMWD30UN,518 PMXB120EPE PMXB120EPEZ PMXB350UPE PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN

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