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PMN30UNX

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批號
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說明
操作

PMN30UNX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
390
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

PMN30UNX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PMN30UNX
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
390
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

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功能描述
MOSFET N-CH 20V SC-74
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
635pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
530mW（Ta）, 4.46W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
40 毫歐 @ 4.5A，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SC-74，SOT-457
標準包裝
1

PMN30UNX 技術參數

PMN30UNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:558pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 4.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN28UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN27XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN27UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN27UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN40LN,135 PMN40UPE,115 PMN40UPEAX PMN42XPE,115 PMN42XPEAH PMN42XPEAX PMN45EN,135 PMN45EN,165 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K