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PMDXB550UNEZ

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMDXB550UNEZ
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
DFN1010B-6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PMDXB550UNEZ
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1216
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMDXB550UNEZ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

PMDXB550UNEZ
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
48750
NXP SEMIC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

PMDXB550UNEZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

PMDXB550UNEZ 其他被動元件
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
100000
NEXPERIA/安世
SOT1216
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PMDXB550UNEZ
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
10000
PHA
SOT1216
15+
-
原裝正品，價格優勢！

1/1頁 40條/頁共11條
1

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功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
590mA
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
670 毫歐 @ 590mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
1.05nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
30.3pF @ 15V
功率 - 最大值
285mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-XFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
DFN1010B-6
標準包裝
1

PMDXB550UNEZ 技術參數

PMDXB1200UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:410mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 410mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43.2pF @ 15V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDT670UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:550mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PMDT290UNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:800mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PMDT290UCE,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:800mA，550mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PMDR-9 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包裝:卷零件狀態:有效類型:導線標記 - 膠帶尺寸:- 電纜直徑:剪切至所需的直徑圖例:9 顏色:白材料:聚酯工作溫度:- 標準包裝:10 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30