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PMCM650VNE/S500Z

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PMCM650VNE/S500Z
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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PMCM650VNE/S500Z PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMCM650VNE/S500Z 技術參數

PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:556mW（Ta）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x0.98）標準包裝:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x.98）封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x.98）封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCM440VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:360pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:4-WLCSP（0.78x0.78）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCM4401VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:415pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:4-WLCSP（2x2）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCXB900UELZ PMCXB900UEZ PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F