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PHPF19012LG2

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

PHPF19012LG2
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Hammond Manufacturing
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

PHPF19012LG2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
751362
Hammond Manufacturing
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
機架和機柜配件
RoHS
否
制造商
Bivar
產品
Rack Accessories
面板空間
顏色
Black

PHPF19012LG2 技術參數

PHP9NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:959pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP79NQ08LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:157W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP45NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:105V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2930pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:43.4A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHPT60606NYX PHPT60606PYX PHPT60610NYX PHPT60610PYX PHPT61002NYCLHX PHPT61002NYCX PHPT61002PYCLHX PHPT61002PYCX PHPT610030NKX PHPT610030NPKX PHPT610030PKX PHPT610035NKX PHPT610035PKX PHPT61003NYX PHPT61003PYX PHPT61006NYX PHPT61006PYX PHPT61010NYX