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PHP1-S3-S5-M-TR

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PHP1-S3-S5-M-TR
北京耐芯威科技有限公司
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地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
CUI Inc.
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深圳市芯脈實業有限公司
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聯系人：曹先生/周小姐/高先生
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功能描述
DC-DC ISOLATED, 1 W, 3.3VDC INPU
制造商
cui inc.
系列
*
零件狀態
新產品
標準包裝
1

PHP1-S3-S5-M-TR 技術參數

PHP1-S15-S5-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 15 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 PHP1-S12-S5-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 12 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 PHP191NQ06LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7665pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP18NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:110V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP18NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP225,118 PHP225NQ04T,127 PHP23NQ11T,127 PHP27NQ11T,127 PHP28NQ15T,127 PHP29N08T,127 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10TA,127 PHP45NQ11T,127