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PH6530AL,115

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PH6530AL,115
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
8642
NXP/恩智浦
LFPAK56Power-SO8
22+
-
原廠原裝現貨

1/1頁 40條/頁共6條
1

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功能描述
MOSFET LFPAK MOSFETs for computing APPS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PH6530AL,115 技術參數

PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:78.7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:- 零件狀態:在售類型:隔離模塊輸出數:1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:400V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 電壓 - 隔離:3kV（3000V）應用:ITE（商業）特性:遠程開/關，OCP，OTP，OVP 安裝類型:通孔封裝/外殼:模塊大小/尺寸:3.85" 長 x 2.83" 寬 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm）工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 標準包裝:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:94.5A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH7323L PH7324H PH7324K PH7513P PH7523P PH7523R PH75A28012 PH75A28015 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805 PH75F110-12 PH75F110-15 PH75F110-2 PH75F110-24 PH75F110-28