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NAND02GAH0LZC5E

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型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NAND02GAH0LZC5E
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Micron Technology Inc.
標準封裝
16+
-
假一罰十

NAND02GAH0LZC5E
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Numonyx/ST Micro
標準封裝
09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

NAND02GAH0LZC5E
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
369
Micron Technology Inc.
153-LFBGA
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

NAND02GAH0LZC5E
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3515
MICRON
153-LFBGA（11.5x13）
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存

NAND02GAH0LZC5E
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
10001
Micron Technology Inc
153-LFBGA
12+
-
授權分銷現(xiàn)貨熱賣

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1

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NAND02GAH0LZC5E PDF下載

功能描述
IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
-
標準包裝
1,000
系列
-
格式 - 存儲器
EEPROMs - 串行
存儲器類型
EEPROM
存儲容量
4K (512 x 8)
速度
400kHz
接口
I²C，2 線串口
電源電壓
2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝
8-MFP
包裝
帶卷 (TR)

NAND02GAH0LZC5E 技術參數(shù)

NAND02GAH0IZC5E 功能描述:IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND01GW4B2AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND01GW3B2CZA6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ NAND01GW3B2BZA6E 功能描述:閃存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F NAND128W3A2BN6F TR NAND128W3A2BNXE NAND128W3AABN6E NAND16GW3B6DPA6E NAND16GW3B6DPA6F

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配單專線：0755-83353220

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