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JANS1N6319D

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說明
操作

JANS1N6319D
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯專營優勢產品

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JANS1N6319D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

JANS1N6319D 技術參數

JANS1N6319CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6319 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6318US 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6318DUS 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JANS1N6318 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N6321US JANS1N6322US JANS1N6323US JANS1N6324 JANS1N6324US JANS1N6326US JANS1N6328 JANS1N6328US JANS1N6329US JANS1N6485US JANS1N6488 JANS1N6488C JANS1N6490 JANS1N6490US JANS1N6491CUS JANS1N6491US JANS1N6632US JANS1N6636US