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JAN1N6351US

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JAN1N6351US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營優勢產品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk

JAN1N6351US 技術參數

JAN1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6347 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 69V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6346 功能描述:Zener Diode 82V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:220 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6345US 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6464 JAN1N6464US JAN1N6465 JAN1N6465US JAN1N6466 JAN1N6466US JAN1N6467 JAN1N6467US JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1 JAN1N6471US JAN1N6472