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CY62157EV18LL5BVXI

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CY62157EV18LL5BVXI 技術參數

CY62157EV18LL-55BVXIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157EV18LL-55BVXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157EV18LL-45BVXIT 功能描述:IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62157EV18LL-45BVXI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62157ESL-45ZSXIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA LO PWR HIGH SPEED ASYNC RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157EV30LL-45ZSXIT CY62157EV30LL-45ZXA CY62157EV30LL-45ZXAT CY62157EV30LL-45ZXI CY62157EV30LL-45ZXIT CY62157EV30LL-55ZSXE CY62157EV30LL-55ZSXET CY62157EV30LL-55ZXE CY62157EV30LL-55ZXET CY62157H30-45BVXI CY62158ELL-45ZSXI CY62158ELL-45ZSXIT CY62158EV30LL-45BVXI CY62158EV30LL-45BVXIT CY62158EV30LL-45ZSXI CY62158EV30LL-45ZSXIT CY62158H-45ZSXI CY62158H-45ZSXIT

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