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CY62136EV30LL45BVXI

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CY62136EV30LL45BVXI 技術(shù)參數(shù)

CY62136ESL-45ZSXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128K x 16) 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62136ESL-45ZSXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M (128K x 16) 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62128VLL-70ZC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 CY62128EV30LL-55ZXET 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62128EV30LL-55ZXE 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62136FV30LL-55ZSXE CY62136FV30LL-55ZSXET CY62136VLL-70ZSXE CY62136VLL-70ZSXET CY62136VNLL-55ZSXA CY62136VNLL-55ZSXAT CY62136VNLL-70BAXA CY62136VNLL-70BAXAT CY62136VNLL-70ZSXA CY62136VNLL-70ZSXAT CY62136VNLL-70ZSXE CY62136VNLL-70ZSXET CY62137CV30LL-55BVXI CY62137CV30LL-55BVXIT CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV30LL-70BVXET CY62137CVSL-70BAXI CY62137CVSL-70BAXIT

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