亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 >

CSD17303Q7

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " CSD17303Q7 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5

CSD17303Q7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD17303Q7 技術參數

CSD17303Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3420pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17302Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta），87A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17301Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.55V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3480pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16570Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.59 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 12V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），195W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.59 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A