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CMZ5349B

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說明
操作

CMZ5349B
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Centralsemi
SMC
06/07+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

CMZ5349B TR13
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
96000
Central
SMC
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CMZ5349B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
CENTRALSEMI
SMC
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

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制造商
CENTRAL
制造商全稱
Central Semiconductor Corp
功能描述
HIGH POWER ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 200 VOLTS 5.0W, 5% TOLERANCE

CMZ5349B 技術(shù)參數(shù)

CMZ5348B TR13 功能描述:Zener Diode 11V 2W ±5% Surface Mount SMC 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應(yīng)商器件封裝:SMC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應(yīng)商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13 CMZ5931B BK

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