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ECJ12DSCI

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

ECJ12DSCI
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Sullins Connector Solutio
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

ECJ12DSCI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號(hào))
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
Sullins Connector Solutio
原裝
2013+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

ECJ12DSCI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
10001
Sullins Connector Solutio
原裝
12+
-
授權(quán)分銷現(xiàn)貨熱賣

1/1頁 40條/頁共3條
1

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ECJ12DSCI PDF下載

功能描述
CONN EDGECARD 24POS .150 SQ WW
RoHS
是
類別
連接器，互連式 >> Card Edge
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
卡類型
非指定 - 雙邊
類型
母頭
Number of Positions/Bay/Row
40
位置數(shù)
80
卡厚度
0.093"（2.36mm）
行數(shù)
2
間距
0.100"（2.54mm）
特點(diǎn)
-
安裝類型
面板安裝
端子
焊接孔眼
觸點(diǎn)材料
銅鈹
觸點(diǎn)表面涂層
金
觸點(diǎn)涂層厚度
10µin（0.25µm）
觸點(diǎn)類型：
全波紋管
顏色
藍(lán)
包裝
托盤
法蘭特點(diǎn)
側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑
材料 - 絕緣體
聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT）
工作溫度
-65°C ~ 125°C
讀數(shù)
雙

ECJ12DSCI 技術(shù)參數(shù)

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效類型:絕緣體形狀:圓形使用:電容器，電解材料:聚酯顏色:透明特性:- 長(zhǎng)度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm）直徑 - 外部:0.831"（21.10mm）直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-1VB0J334K ECJ-1VB0J394K ECJ-1VB0J474K ECJ-1VB0J475K ECJ-1VB0J475M ECJ-1VB0J564K ECJ-1VB0J684K ECJ-1VB0J824K ECJ-1VB1A105K ECJ-1VB1A106M ECJ-1VB1A124K ECJ-1VB1A154K ECJ-1VB1A184K ECJ-1VB1A224K ECJ-1VB1A225K ECJ-1VB1A225M ECJ-1VB1A334K ECJ-1VB1A474K

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配單專線：0755-83353220

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