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DMN3010LSS-13

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DMN3010LSS-13
深圳市大源實業科技有限公司
深圳市大源實業科技有限公司
聯系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室
24100
DIODES
SOP8
24+
-
原裝，公司部分現貨，有單來談QQ:161...

DMN3010LSS-13
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
DIODES
SOP-8
2011+
-
假一罰十，百分百原裝正品

DMN3010LSS-13
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES
SOP8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

DMN3010LSS-13
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13130
DIODES
SOP-8
2025+
-
代理原裝現貨假一賠十

DMN3010LSS-13
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

DMN3010LSS-13
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
300
DIODES
SOP-8
2012+
-
只做原裝正品。

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您是不是要找： DMN3012LFG-13 DMN3012LFG-7 DMN3015LSD-13 DMN3016LDN-13 DMN3016LDN-7 DMN3016LDV-13 DMN3016LDV-7 DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-7

DMN3010LSS-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DMN3010LSS-13 PDF下載

功能描述
MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

DMN3010LSS-13 技術參數

DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.21A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標準包裝:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）配對電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:3,000 DMM-B-44/100 功能描述:FUSE CARTRIDGE 440MA 1KVAC/VDC 制造商:eaton 系列:DMM-B 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:盒額定電流:440mA 額定電壓 - AC:1000V（1kV）額定電壓 - DC:1000V（1kV）響應時間:快速應用:萬用表特性:- 類別:- 認可:UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座封裝/外殼:盒，非標準大小/尺寸:0.394" 直徑 x 1.374" 長（10.00mm x 34.90mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:1 DMM-B-11A 功能描述:FUSE CRTRDGE 11A 1KVAC/DC NONSTD 制造商:eaton 系列:DMM-B 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:盒額定電流:11A 額定電壓 - AC:1000V（1kV）額定電壓 - DC:1000V（1kV）響應時間:快速應用:萬用表特性:- 類別:- 認可:UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:20kA 安裝類型:支座封裝/外殼:盒，非標準大小/尺寸:0.394" 直徑 x 1.500" 長（10.00mm x 38.10mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:1 DMN3016LFDF-13 DMN3016LFDF-7 DMN3016LK3-13 DMN3016LPS-13 DMN3016LSS-13 DMN3018SFG-13 DMN3018SFG-7 DMN3018SFGQ-13 DMN3018SFGQ-7 DMN3018SSD-13 DMN3018SSS-13 DMN3020LK3-13 DMN3020UFDF-13 DMN3020UFDF-7 DMN3020UTS-13 DMN3021LFDF-13 DMN3021LFDF-7 DMN3023L-13