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DD1217AS-H-3R3N=P3

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說明
操作

DD1217AS-H-3R3N=P3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DD1217AS-H-3R3N=P3
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
304194
Murata Electronics
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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DD1217AS-H-3R3N=P3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DD1217AS-H-3R3N=P3 PDF下載

功能描述
3.3μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14.4 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
DEM8045C
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
3.3μH
容差
±30%
額定電流
6.8A
電流 - 飽和值
10.3A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
14.4 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
大小/尺寸
0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.177"（4.50mm）
標準包裝
1

DD1217AS-H-3R3N=P3 技術參數

DD1217AS-H-330M=P3 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 132 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:33μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:132 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DD1217AS-H-2R2N=P3 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 9.9 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:8.7A 電流 - 飽和值:12.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9.9 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DD1217AS-H-220M=P3 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 93.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:3.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:93.6 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DD1217AS-H-1R5N=P3 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 9.4A 7.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:9.4A 電流 - 飽和值:15A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:7.6 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DD1217AS-H-180M=P3 功能描述:18μH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 76.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:18μH 容差:±20% 額定電流:2.9A 電流 - 飽和值:4.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:76.8 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.315" 長 x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.177"（4.50mm）標準包裝:1 DD1274AS-H-2R2N=P3 DD1274AS-H-330M=P3 DD1274AS-H-3R3N=P3 DD1274AS-H-4R7N=P3 DD1274AS-H-5R6N=P3 DD1274AS-H-6R8N=P3 DD1274AS-H-8R2M=P3 DD-12AFFM-RL7A01 DD-12AFMM-QL8D01 DD-12AFMM-QR8D01 DD-12AFMM-RL7A01 DD-12AMFM-QL8D01 DD-12AMFM-RL7A01 DD-12AMMM-RL7A01 DD-12PMFS-QC8001 DD-12RFFC-RC7B10 DD-12RFFC-RC7B30 DD-12RFFC-RS7B10

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