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CEDM8001 BK

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CEDM8001 BK PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類(lèi)型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
100mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
8 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
0.66nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
45pF @ 3V
功率 - 最大值
100mW
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-101，SOT-883
供應(yīng)商器件封裝
SOT-883
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

CEDM8001 BK 技術(shù)參數(shù)

CEDM7004VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7004 BK 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 CEDM7002AE TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7001VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G

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