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BSS123L6327HTSA1

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BSS123L6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
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電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

BSS123L6327HTSA1 技術參數

BSS123L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21.5pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS123ATC 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS123ATA 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1

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